在去年 5 月的 Samsung Foundry Forum 论坛上，三星宣布了 5/4/3nm 工艺技术。据今日 Tom's hardware 带来的消息，三星计划最早在 2021 年开始量产 3nm 工艺芯片。
除此之外，三星方面还表示，将在今年下半年开始生产 7nm EUV 芯片。在去年，三星还表示将在 2020 年用上 4nm GAAFET（Gate-all-around FET，或称 " 环绕式结构 FET"）工艺。不过包括 Garner 副总裁 Samuel Wang 在内的一些业内人士，对 GAAFET 芯片是否能在 2022 年前投入生产表示了怀疑。
虽然台积电、格罗方德 Global Foundries）在 EUV 芯片开发上方面并不落后，但三星也有自己的一个优势。三星已经在内部开发了自家了 EUV 掩膜检测工具，只是尚未开发出类似的商业工具。
【来源：IT之家】
